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街乗中心の走法について
ペンギン  黒っぷり  - 10/4/14(水) 5:10 -
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   常々ＨＳＩ７５％以上で加速しています。当然ながら必ずエンジンで加速する事になります。遅まきながら最近これが燃費を落としているのでは？と気付きました。。

加速時５秒以上エンジンを回さない場合（前車との距離や状況により判断）、ＨＳＩ２５％までに留めて加速すればもっと燃費向上しますでしょうか？その場合バッテリー地獄となるリスクが高まる事はありませんでしょうか？

街乗りが殆どで２５％までに留めてのモーター中心で走行しているとすぐにＢＬが３や２になってしまうので上記のようなアクセルワークなのですが、どのような走法が良いのか迷っています。


（現在１３０００ｋｍ走行してパネル燃費が２２．２ｋｍです。できればもう少し
３０ｋｍに近づきたいのですが・・）
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Re:お詫び
オヤジ  人柱　川崎　ガスタービン  - 10/4/13(火) 13:41 -
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   >三菱電機の上司の無能によりIGBTのアメリカ特許は取られませんでした。また IGBT の開発も継続されず 20 年間放置されたのです。（ソニーのエザキダイオードと同じ）
>
>別件ですがプリウスに使用されている IGBT はトヨタの内製です。

そうでしたか、エサキダイオード、オツサンの私には解かりやすく理解しやすい説

明でありがとうございます。エサキダイオードはその後、電子チュナーに応用され

今でも当たり前に生活の役にたってますよね？で退職金ガッリもらって天に召され

たボンクラ社長？役員？はいまの民主、自民、公明、社民の政治屋さんみたいです

ね、末端はそこそこ仕事してるのにボンクラ指導者がぶち壊してる感じですね

（笑）まボンクラ選んだ庶民の自己責任とかジイサン指導者には言われたくないで

すが（大笑）で、私の１０型のＩＧＢＴにはさんぜんとスリーダイヤモンドマーク

が輝いてましたが２０型以降はデンソー製なのですか？
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Re:お詫び
おじさん  HAL1000  - 10/4/12(月) 21:47 -
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   ▼人柱　川崎　ガスタービンさん：
>▼HAL1000さん：
>>しかも IGBT は日本人(三菱電機の山上氏と赤桐氏の連名で出願し特許庁はこれを昭和48年1月に特許として成立しています、その後に RCA のハンス. W. ベッケが米国特許を取得し1982年12月に成立しましたが日本での特許は当然ながら成立していません。
>
>ありがとうございます。私が実務としてＩＧＢＴ搭載のバッテリー式フォークリフ
>
>トを触ったのは１９９０年以降のものでそれ以前はサイリスターを搭載したものだ
>
>ったと記憶しています。電車などもっと大電流も流せるものもあるとは思いますが
>
>昭和４８＝１９７３だとすると米国の特許である１９８２以降に信頼性の向上と量
>
>産化が成功してサイリスターに置き換わった様にも思いますが？

三菱電機の上司の無能によりIGBTのアメリカ特許は取られませんでした。また IGBT の開発も継続されず 20 年間放置されたのです。（ソニーのエザキダイオードと同じ）

別件ですがプリウスに使用されている IGBT はトヨタの内製です。
h ttp://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060328/115518/
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Re:お詫び
オヤジ  人柱　川崎　ガスタービン  - 10/4/12(月) 21:23 -
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   ▼HAL1000さん：
>しかも IGBT は日本人(三菱電機の山上氏と赤桐氏の連名で出願し特許庁はこれを昭和48年1月に特許として成立しています、その後に RCA のハンス. W. ベッケが米国特許を取得し1982年12月に成立しましたが日本での特許は当然ながら成立していません。

ありがとうございます。私が実務としてＩＧＢＴ搭載のバッテリー式フォークリフ

トを触ったのは１９９０年以降のものでそれ以前はサイリスターを搭載したものだ

ったと記憶しています。電車などもっと大電流も流せるものもあるとは思いますが

昭和４８＝１９７３だとすると米国の特許である１９８２以降に信頼性の向上と量

産化が成功してサイリスターに置き換わった様にも思いますが？
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Re:お詫び
おじさん  HAL1000  - 10/4/12(月) 20:37 -
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   ▼人柱　川崎　ガスタービンさん：
>>IGBTなどの技術開発は、日本の電機メーカーが世界的にもリードしていると考えてよいと思います、GEのサイリスタ関係の特許技術などはS40年代の話で、既にS50年代に日本のメーカーはGEを追い越していました。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）はサイリスタではありません。
その名のとおりトランジスターです。

しかも IGBT は日本人(三菱電機の山上氏と赤桐氏の連名で出願し特許庁はこれを昭和48年1月に特許として成立しています、その後に RCA のハンス. W. ベッケが米国特許を取得し1982年12月に成立しましたが日本での特許は当然ながら成立していません。
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Re:お詫び
オヤジ  人柱　川崎　ガスタービン  - 10/4/12(月) 12:41 -
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   >IGBTなどの技術開発は、日本の電機メーカーが世界的にもリードしていると考えてよいと思います、GEのサイリスタ関係の特許技術などはS40年代の話で、既にS50年代に日本のメーカーはGEを追い越していました。
>
プリウスに使われているＩＧＢＴは三菱製と聞いたので、そもそもＩＧＢＴはＧＥ

の特許で三菱がパテントて作っていると私が勘違いしていたのかもしれません。が

デンソーで手がけていたならなぜ三菱製の製品を採用したのか？値段ですかね？

国策ですかね？ありがとうございます。
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Re:お詫び
おじさん  プリじーば  - 10/4/12(月) 7:43 -
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   ▼人柱　川崎　ガスタービンさん：
>確かに重箱の隅を突いて回生の効率をあげる御もっともな手段で、そのへんのパワーエレクトロニックスの基本的な仕組みはプリウスにも使われているＩＧＢＴを含>めて基本的特許はＧＥなどアメリカの企業にあったりしてさらなる効率の良い半導>体素子を開発しにくい状況ではしかたないとはおもいますが、

IGBTなどの技術開発は、日本の電機メーカーが世界的にもリードしていると考えてよいと思います、GEのサイリスタ関係の特許技術などはS40年代の話で、既にS50年代に日本のメーカーはGEを追い越していました。

>で、デンソーあたりが特許ごと企業買収できたら、孫社長と役員も喜びますね？

デンソーさんはIGBTにしても早くから自社研究所で研究開発されていましたよ、
今のようなハイブリッド・ＥＶの時代が来ることを早くから予見し、これらのキーパーツとなるＩＧＢＴ等の低損失で高速のパワースィッチングデバイスの研究開発に取り組まれていました。

又専門電機メーカーでも必死でこのデバイスの研究開発をしていますので、更なる新デバイスが生まれてくるでしょうが、現時点のキーデバイスはやはり電池のようですね。
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Re:お詫び
オヤジ  人柱　川崎　ガスタービン  - 10/4/11(日) 13:32 -
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   ▼さとう２さん：
>IGBTに代わるパワー半導体としてSiC(炭化ケイ素)MOS FETが注目されています。

特許のからみはわかりませんが、ヨーロッパ、アメリカ、日本の会社も１０アンペ

ア以下の製品をサンプル出荷物してるようですね、ありがとうございました。

で、デンソーあたりが特許ごと企業買収できたら、孫社長と役員も喜びますね？

（笑）
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Re:お詫び
おじさん  さとう２  - 10/4/11(日) 10:56 -
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   ▼人柱　川崎　ガスタービンさん：
>▼HAL1000さん：
>>しかし EV になって回生ブレーキ必須になればどうするんでしょう？
>>TOYOTA は将来性に掛けて開発を進めてるでしょね... そのリスクが今回のブレーキ抜け（味）にナッチャッタんでしょう。
>
>確かに重箱の隅を突いて回生の効率をあげる御もっともな手段で、そのへんのパワ
>
>ーエレクトロニックスの基本的な仕組みはプリウスにも使われているＩＧＢＴを含
>
>めて基本的特許はＧＥなどアメリカの企業にあったりしてさらなる効率の良い半導
>
>体素子を開発しにくい状況ではしかたないとはおもいますが、なにより燃費のデー
>
>タ優先でなく安全優先で子供社長と役員に猛省して奮起して頂きたいものです。
>
>（笑）

IGBTに代わるパワー半導体としてSiC(炭化ケイ素)MOS FETが注目されています。
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Re:お詫び
オヤジ  人柱　川崎　ガスタービン  - 10/4/11(日) 9:43 -
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   ▼HAL1000さん：
>しかし EV になって回生ブレーキ必須になればどうするんでしょう？
>TOYOTA は将来性に掛けて開発を進めてるでしょね... そのリスクが今回のブレーキ抜け（味）にナッチャッタんでしょう。

確かに重箱の隅を突いて回生の効率をあげる御もっともな手段で、そのへんのパワ

ーエレクトロニックスの基本的な仕組みはプリウスにも使われているＩＧＢＴを含

めて基本的特許はＧＥなどアメリカの企業にあったりしてさらなる効率の良い半導

体素子を開発しにくい状況ではしかたないとはおもいますが、なにより燃費のデー

タ優先でなく安全優先で子供社長と役員に猛省して奮起して頂きたいものです。

（笑）
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